Fraunhofer IAF（弗勞恩霍夫應用固體物理研究所）是德國弗勞恩霍夫協(xié)會（Fraunhofer-Gesellschaft）旗下專注于化合物半導體材料和器件的研究機構，成立于1957年，總部位于弗賴堡（Freiburg）。

IAF的核心研究方向包括：

氮化鎵（GaN）：高頻電子器件、功率電子。

砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）：太赫茲（THz）器件、光電探測器、激光二極管。

碳化硅（SiC）：高溫和高功率應用。

量子級聯(lián)激光器（QCL）：中紅外到太赫茲波段的半導體激光器，用于光譜學、安全檢測和醫(yī)療成像。

IAF在太赫茲技術領域處于國際領先地位，其QCL芯片和成像系統(tǒng)廣泛應用于工業(yè)無損檢測、醫(yī)學成像和安全掃描等領域。

太赫茲QCL產(chǎn)品主要包括以下型號：

1. 連續(xù)波（CW）太赫茲QCL芯片

頻率范圍：1.5 THz – 5.2 THz

典型型號：

CW-QCL-2.5THz：中心頻率2.5 THz，輸出功率>1 mW（低溫工作）。

CW-QCL-3.5THz：適用于高分辨率光譜學。

2. 脈沖式太赫茲QCL芯片

頻率范圍：1 THz – 5 THz

型號：

Pulsed-QCL-1.8THz：峰值功率>10 mW，用于快速成像。

Pulsed-QCL-4.7THz：高頻率版本，適用于材料分析。

3. 高功率太赫茲QCL模塊

集成化系統(tǒng)：包含熱電冷卻器（TEC）和光學準直元件。

型號：

THz-QCL-Module-2.0：2.0 THz中心頻率，便攜式設計。

THz-QCL-Module-3.8：3.8 THz，適用于實驗室級成像。

4. 定制化QCL解決方案

可根據(jù)需求定制頻率（1–5 THz）、功率和封裝形式。

如需更詳細的參數(shù)（如波長、功率曲線、封裝尺寸），歡迎咨詢。

Fraunhofer IAF 公司的其他產(chǎn)品，如 氮化鎵（GaN）功率電子、射頻器件、光電探測器、量子級聯(lián)激光器（QCL）簡單介紹如下，若您有任何需求，歡迎咨詢。我公司自營進出口權，直接海外采購，國外現(xiàn)貨航空件幾天就交到您的手中。

1. 氮化鎵（GaN）功率電子器件

1.1 高壓GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）

型號范圍：600V – 1200V

典型型號：

G100V6（100V, 6A）

G600V15（600V, 15A）

G1200V10（1200V, 10A）

應用：高效電源轉換、電動汽車、可再生能源逆變器。

1.2 GaN功率模塊

型號示例：

GaN-PM-600V-50A（半橋模塊，600V/50A）

GaN-PM-1200V-30A（全橋模塊，1200V/30A）

2. 射頻（RF）和毫米波器件

2.1 GaN RF功率放大器（PA）

頻率范圍：DC – 40 GHz

典型型號：

PA-6-18GHz-50W（6–18 GHz, 50W）

PA-28-40GHz-10W（28–40 GHz, 10W）

應用：雷達、衛(wèi)星通信、5G基站。

2.2 毫米波單片集成電路（MMIC）

型號示例：

MMIC-20-30GHz-LNA（低噪聲放大器，20–30 GHz）

MMIC-75-110GHz-Mixer（混頻器，75–110 GHz）

3. 光電和量子器件

3.1 量子級聯(lián)激光器（QCL）（太赫茲 & 中紅外）

3.1.1 太赫茲QCL（THz-QCL）

CW（連續(xù)波）型號：

CW-QCL-2.5THz（2.5 THz, >1 mW）

CW-QCL-3.5THz（3.5 THz, 低溫工作）

脈沖型號：

Pulsed-QCL-1.8THz（1.8 THz, >10 mW）

Pulsed-QCL-4.7THz（4.7 THz, 材料分析）

集成模塊：

THz-QCL-Module-2.0（2.0 THz, TEC冷卻）

THz-QCL-Module-3.8（3.8 THz, 實驗室級）

3.1.2 中紅外QCL（Mid-IR QCL）

波長范圍：4 μm – 12 μm

典型型號：

QCL-4.6μm（4.6 μm, 用于氣體傳感）

QCL-9.2μm（9.2 μm, 醫(yī)療診斷）

3.2 紅外光電探測器（InGaAs/InSb）

型號示例：

PD-InGaAs-1.7μm（1.7 μm, 高速探測）

PD-InSb-5μm（5 μm, 低溫工作）

4. 碳化硅（SiC）功率器件

4.1 SiC二極管（肖特基勢壘二極管，SBD）

電壓范圍：600V – 1700V

典型型號：

SiC-SBD-600V-10A

SiC-SBD-1700V-25A

4.2 SiC MOSFET

型號示例：

SiC-MOSFET-1200V-30A

SiC-MOSFET-1700V-20A

5. 定制化解決方案

Fraunhofer IAF 提供 定制設計服務，可根據(jù)需求開發(fā)：

特定頻率/功率的QCL（1–12 μm 或 1–5 THz）

高頻GaN/SiC功率模塊（最高1200V/100A）

光電集成系統(tǒng)（如太赫茲成像儀、激光雷達LiDAR）

部分典型產(chǎn)品

您有任何需求，歡迎咨詢。

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